650V CoolSiC™ Hybrid IGBT 디스크리트 제품군 출시
전자 | 윤성준 기자 | 입력 : 2021.02.17
CoolSiC Hybrid 제품군은 650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT 기술과 유니폴라 구조의 쇼트키 배리어 CoolSiC 다이오드를 결합했다. 순수 실리콘 솔루션과 고성능 SiC MOSFET 디자인 사이의 가교 역할이 기대된다.
인피니언에 따르면, CoolSiC Hybrid IGBT는 IGBT와 프리휠링 SiC 쇼트키 배리어 다이오드를 패키지에 통합, 동작 시 거의 일정한 dv/dt 및 di/dt 값으로 스위칭 손실을 크게 낮춘다고 설명했다.
표준 실리콘 다이오드 솔루션과 비교해서 Eon은 최대 60%, Eoff는 최대 30%까지 낮춘다. 또 다르게는 출력 전력 요구는 그대로이면서 스위칭 주파수를 40%까지 높일 수 있다고 덧붙였다.
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