인텔 “차세대 패키징 기술, 갈수록 범프 피치 줄일 것”
더 적은 면적에서 더 빠른 트랜지스터 스위칭 속도 제공해야
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이번 세션은 지난 7월 27일 진행했던 글로벌 웹캐스트를 통해 전달한 인텔 액셀러레이티드(Intel Accelerated) 발표에 대해 국내 기자들을 대상으로 한 보다 자세한 설명과 질의응답이 이어졌다.
인텔 코리아는 이번 행사에서 10여 년 만에 선보이는 트랜지스터 아키텍처 리본펫(RibbonFET)과 후면 전력 공급 기술인 파워비아(PowerVia)를 통한 공정기술의 발전방향에 대해 소개했다.
행사에 참석한 기자가 후면 전력공급장치에 대해 타사와의 차이점에 대해 묻자 인텔코리아 나승주 상무는 “암(ARM) 등 후면 전력공급장치에 대해 발표한 기업들이 있지만 파워비아는 인텔만의 제품으로, 웨이퍼 전면에 전력 라우팅이 필요하지 않아서 신호 전송을 최적화한 것이 특징이다.”고 말했다.
또한 “리본펫은 인텔이 GAA(Gate-all-around) 트랜지스터를 적용한 것으로, 이는 인텔이 2011년 핀펫 이후 처음 선보이는 새로운 트랜지스터 아키텍처이다. 이 기술은 더 빠른 트랜지스터 스위칭 속도를 제공하는 동시에 더 작은 면적 구현이 가능하다."고 설명했다.
나 상무는 이번 행사에서 포베로스 옴니(Foveros Omni)와 포베로스 다이렉트(Foveros Direct) 통한 3D 패키징 기술의 혁신을 강조했다.
그에 따르면, 인텔의 인터커넥트 브릿지(EMIB)는 2017년부터 관련 제품이 출하됐으며 차세대 EMIB는 범프(bump) 피치를 55 마이크론에서 45마이크론으로 개선할 예정이며 포베로스 옴니에서 포베로스 다이렉트로 갈수록 범프 피치를 줄일 것이라고 밝혔다.
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