EV Group, 세미콘 코리아 2025에서 HBM 및 3D DRAM용 TB/DB 솔루션 공개

EV Group(EVG)이 19일부터 21일까지 서울 코엑스에서 열리는 세미콘 코리아 2025(SEMICON Korea 2025)에서 HBM(High-Bandwidth Memory) 및 3D DRAM 적층 공정을 위한 템포러리 본딩 및 디본딩(TB/DB) 솔루션을 선보였다.

EVG는 전시회에 참가, IR LayerRelease™ 디본딩 기술을 포함한 웨이퍼 본딩 및 리소그래피 공정 기술을 공개하며, AI 가속기 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 반도체의 제조 혁신을 위한 대응 방안을 제시했다.

HBM과 3D DRAM은 높은 대역폭과 낮은 지연 시간을 제공하는 반도체로, AI 및 데이터 처리 속도 향상을 요구하는 산업에서 활용도가 높아지고 있다. TB/DB는 이러한 메모리 적층 공정의 핵심 기술로, EVG는 IR LayerRelease 솔루션을 통해 기존 기계적 디본딩 방식의 한계를 보완하고, 초박형 웨이퍼 적층 공정의 정밀도를 높인다.

EVG 아태지역 세일즈 디렉터 토르스텐 마티아스(Dr. Thorsten Matthias)는 “HBM과 3D DRAM 제조의 고도화는 한국 반도체 산업에서도 중요한 과제”라며, “IR LayerRelease 기술을 적용하면 더 얇은 다이를 구현하고, 실리콘 캐리어를 유지하면서 기계적 디본딩 공정을 대체할 수 있어 차세대 적층 메모리 생산에 유리하다”고 설명했다.

IR LayerRelease 기술은 적외선(IR) 레이저를 이용해 실리콘 캐리어에서 초박형 필름을 나노미터 수준의 정밀도로 분리하는 방식으로, 기존 디본딩 공정보다 생산 효율성과 안정성을 높이는 데 초점을 맞추고 있다.

기존 기계적 디본딩 방식은 차세대 HBM과 같은 초박형 웨이퍼의 정밀한 처리가 어렵다는 한계를 가지고 있었다. IR LayerRelease 기술은 적외선을 활용해 실리콘 캐리어를 유지하면서도 높은 수준의 정밀도로 필름을 분리할 수 있어 웨이퍼 적층 공정에서의 활용도가 높아졌다.

업체 관계자는 "이 기술은 퓨전 및 하이브리드 본딩 공정과 호환이 가능해 프런트엔드 공정에서도 적용할 수 있다"며 "유기 용매 대신 무기 용매를 활용한 세정 공정을 통해 반도체 제조 공정의 환경적 영향을 최소화하는 데 기여할 수 있다."라고 말했다.