고대역폭 HBM 등 최첨단 메모리 반도체 생산기지 착공

2019년 조성계획 발표 후 인·허가 문제로 개발이 지연됐던 SK 하이닉스 용인 반도체 일반산단(이하 클러스터)이 이번 정부 출범 이후 당·정·지자체·기업간 상생협약체결로 사업이 본 궤도에 올랐다.

1기 팹(Fab) 부지는 약 35%의 공정률을 보이며, 현재 부지 조성 공사가 차질 없이 진행 중이다.

오는 2046년까지 120조 원 이상 투자를 통해 총 4기 Fab 구축을 목표로 하고 있고, 내년 3월에는 생산 Fab 1기가 착공될 예정이다. 생산 Fab이 완공 시, ‘세계 최대 규모의 3층 Fab’이 될 것으로 전망된다.

반도체 메가 클러스터 조성방안의 핵심지역인 SK 하이닉스 용인 반도체 기업을 방문한 안덕근 산업통상자원부 장관은 인프라의 적기 구축, 초격차 기술 확보 및 수출 확대 지원, 반도체 소부장·팹리스 생태계 강화를 약속했다.

산업부는 클러스터 내 인프라 구축을 지원하고자 지난 2월 전력공급 전담반(TF)을 발족했으며, 이달까지 반도체 등 첨단특화단지 지원 전담부서 설치와 '첨단전략산업 특화단지 종합 지원방안'을 마련할 계획이다.

인공지능(AI) 반도체와 고대역폭 메모리(HBM) 수요가 증가하는 상황에서, 반도체 기술력 확보와 수출 진작을 위해 AI 반도체 시장 선점을 위한 종합전략을 조속히 마련하고, 반도체 장비 경쟁력 강화방안을 올해 상반기에 마련한다.

클러스터 내 경쟁력 있는 반도체 생태계 마련을 목표로, 소부장 기술의 양산 검증 테스트베드인 용인 ‘미니팹 사업’에 대한 예비타당성 조사를 차질 없이 진행하고, 경쟁력 있는 소부장·팹리스 기업들을 대상으로 정책자금을 공급할 예정이다.

안덕근 장관은 “반도체 초격차는 속도에 달린 만큼 우리 기업이 클러스터 속도전에서 뒤처지지 않도록 전 부처가 합심해 대응하겠다”고 언급하며, “올해 기업들이 반도체 1천200억 달러 수출 목표를 달성할 수 있도록 HBM 등 첨단 반도체의 수출 확대를 적극 지원하겠다”라고 밝혔다.