전력 반도체 패키징 방식이 변화하고 있다. 기존 와이어 본딩 방식의 한계를 극복하기 위해 본딩 와이어를 제거한 새로운 기술이 주목받고 있으며, 코스텍시스가 이를 구현한 ‘칩 스페이서’와 ‘비아 스페이서’를 개발했다.

전력 반도체는 전기자동차, 철도, 풍력, 데이터 센터 등 다양한 전력 시스템에서 핵심 역할을 한다. 기존 패키징 방식에서는 반도체 칩과 기판을 연결하는 와이어 본딩이 일반적이지만, SiC(실리콘 카바이드) 및 GaN(갈륨 나이트라이드) 기반 반도체가 고전압·고주파 스위칭을 수행하면서 기생 인덕턴스 증가, 열 스트레스 가중, 신뢰성 저하 등의 문제가 발생해왔다.

코스텍시스는 이러한 문제를 해결하기 위해 본딩 와이어를 대체하는 스페이서 기술을 적용했다. 이를 통해 전기적 특성을 개선하고, 열 저항을 줄여 반도체의 안정성을 높일 수 있도록 설계했다.

코스텍시스는 새로운 패키징 방식이 전력 반도체의 전기적·열적 성능을 최적화할 수 있다고 설명했다. 칩 스페이서와 비아 스페이서를 활용하면 기생 인덕턴스를 줄이고, 열 저항을 낮출 수 있어 고출력·고효율 반도체 설계가 가능해진다.

코스텍시스는 전력 반도체 스페이서 개발을 마무리하고 글로벌 고객사의 양산 테스트를 진행 중이다. 이를 위해 생산 시설 투자도 추진하고 있으며, 올해 6월부터 본격적인 양산을 시작할 예정이다.

현재 글로벌 반도체 기업들은 SiC 반도체 8인치 웨이퍼 양산을 위한 대규모 투자를 진행 중이다. 일부 기업은 이미 본격적인 생산을 시작했으며, 이에 따라 기존 와이어 본딩을 대체하는 새로운 패키징 기술에 대한 수요도 증가할 것으로 예상된다. 코스텍시스는 이러한 흐름에 맞춰 시장 확대를 적극 추진할 계획이다.